公告摘要:
綜合樓D座(研發(fā)平臺)一層、二層凈化改造項目中標公示
工程編號 F0SG202400760 建設(shè)單位名稱 中國科學(xué)院微電子研究所 工程名稱 綜合樓D座(研發(fā)平臺)一層、二層凈化改造項目 建筑規(guī)模 2075平方米 建設(shè)地點 北土城西路3號 中標候選人 中國電子......
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公告摘要:
綜合樓D座(研發(fā)平臺)一層、二層凈化改造項目中標公示
工程編號 F0SG202400760 建設(shè)單位名稱 中國科學(xué)院微電子研究所 工程名稱 綜合樓D座(研發(fā)平臺)一層、二層凈化改造項目 建筑規(guī)模 2075平方米 建設(shè)地點 北土城西路3號 中標候選人 中國電子......
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